[发明专利]一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法在审
| 申请号： | 202110209222.4 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113013229A | 公开（公告）日： | 2021-06-22 |
| 发明（设计）人： | 吴志明;邹娴;王伟平;孔丽晶;康俊勇;吴雅苹;李煦 | 申请（专利权）人： | 厦门大学;厦门大学九江研究院 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京纽乐康知识产权代理事务所(普通合伙) 11210 | 代理人： | 王珂 |
| 地址： | 361000 *** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种碳化硅UMOSFET功率器件及其制备方法，其器件结构包括从下到上依次包括漏电极、N+衬底层、N‑漂移层、N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层、两个源电极；两个所述源电极之间设有源区接触层，所述源区接触层的底端设有栅电极，所述栅电极的外壁上包裹有栅极介质，所述栅极介质依次贯穿所述N+电流扩散层、P型掺杂层、源区层，所述栅极介质镶嵌在N‑漂移层的顶端。本发明通过在材料生长时改变掺杂气体流量，外延自下而上掺杂浓度渐变的漂移层，达到提高器件击穿电压并保持低导通电阻的目的，最终实现高性能器件的制备。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 碳化硅 umosfet 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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