[发明专利]基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路有效
| 申请号： | 202110209549.1 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN112803784B | 公开（公告）日： | 2022-04-08 |
| 发明（设计）人： | 王玉雯;高潮;庄紫怡;吉怡悦;周祥兵;陈敦军 | 申请（专利权）人： | 扬州江新电子有限公司 |
| 主分类号： | H02M3/338 | 分类号： | H02M3/338;H02M1/08;H02M1/44;G01R15/14;G01R19/00 |
| 代理公司： | 江苏斐多律师事务所 32332 | 代理人： | 张佳妮 |
| 地址： | 225004 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种基于GaN HEMT器件的自激驱动与功率变换电路。该电路采用了新型的GaN基HEMT器件，提高电路工作频率至MHz。器件采用了硅衬底，并采用了Q1和Q2双晶体管片上设计，两个晶体管共用一个晶圆，减小体积、降低成本、提升可靠性控制。器件还采用了集成式反向并联二极管结构，提升器件的反向导通特性。电路通过功率电路主变压器中的第三辅助绕组Na，采用正反馈模式的自激驱动腔自动为Q1提供驱动信号，无须控制芯片，Q1的驱动需要通过针对GaN HEMT器件特殊的驱动缓冲电路来保证其可靠驱动。电路进一步采用了集成式的高频电流逐周期检测方案，与自激驱动腔共用一个线圈，省去了电流检测电阻，实现了无损耗电流检测。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 gan hemt 器件 驱动 功率 变换 电路 | ||
【主权项】：
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