[发明专利]或非型闪存器件及其制造方法

摘要

本发明提供了一种或非型闪存器件及其制造方法，所述或非型闪存器件的制造方法包括：提供一具有外围器件区和存储单元区的晶圆片，在存储单元区沉积一介电层；在所述外围器件区通过外延生长形成一硅外延层；在所述外围器件区和所述存储单元区形成栅极；形成第一侧墙于所述栅极的侧壁上；进行轻浅掺杂离子注入；形成第二侧墙于所述第一侧墙的外围；蚀刻去除所述存储单元区的栅极顶部的介电层。本发明的技术方案能有效减薄存储单元区的栅极的高度，不会发生离子注入的击穿；所述存储单元区的栅极的高度不通过蚀刻来决定，厚度和均匀性能得到更好的控制，有利于工艺窗口和器件均匀性的控制。