[发明专利]一种肖特基二极管及其制备方法在审
| 申请号： | 202110210079.0 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112909098A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 张园览;张清纯 | 申请（专利权）人： | 光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/872 | 分类号： | H01L29/872;H01L29/06;H01L29/36;H01L21/329 |
| 代理公司： | 北京三聚阳光知识产权代理有限公司 11250 | 代理人： | 薛异荣 |
| 地址： | 201306 上海市浦东新区*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种肖特基二极管及其制备方法，肖特基二极管包括：半导体衬底层；位于所述半导体衬底层上的漂移层，所述漂移层包括第一漂移区和位于所述第一漂移区背向所述半导体衬底层一侧的第二漂移区，所述第二漂移区的掺杂浓度大于所述第一漂移区的掺杂浓度；位于部分第二漂移区中的副掺杂层，所述副掺杂层的导电类型与所述漂移层的导电类型相反；位于所述漂移层中且围绕所述副掺杂层间隔分布的若干主掺杂层，所述主掺杂层的导电类型与所述副掺杂层的导电类型相同。所述肖特基二极管保证在较小的反向偏压时对导通沟道完全夹断，同时能保证正向导通时具有低的导通电阻。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 肖特基 二极管 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司，未经光华临港工程应用技术研发（上海）有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110210079.0/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
