[发明专利]磁性随机存储单元、存储器及设备有效

专利信息
申请号: 202110210410.9 申请日: 2021-02-25
公开(公告)号: CN113451505B 公开(公告)日: 2023-07-07
发明(设计)人: 刘桐汐;王昭昊;王旻;王朝;吴比;赵巍胜 申请(专利权)人: 北京航空航天大学
主分类号: H10N50/10 分类号: H10N50/10;H10N50/80;H10B61/00;G11C11/16
代理公司: 北京三友知识产权代理有限公司 11127 代理人: 赵平;叶明川
地址: 100191*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明提供了一种磁性随机存储单元、存储器及设备,包括自旋轨道耦合层、设于所述自旋轨道耦合层上的至少一个磁隧道结以及外加磁场,所述磁隧道结自由层的磁矩受到类场矩的作用;当向所述自旋轨道耦合层输入第一自旋轨道矩电流时,所述磁隧道结的阻态发生改变;当向所述自旋轨道耦合层输入第二自旋轨道矩电流时,所述磁隧道结的阻态与自旋轨道矩电流的方向对应,所述第一自旋轨道矩电流的电流密度小于所述第二自旋轨道矩电流,本发明可通过结合外加磁场和类场矩对自由层磁矩的作用,使磁隧道结可以在不同自旋轨道矩电流输入条件下分别实现单极性翻转和双极性翻转。
搜索关键词: 磁性 随机 存储 单元 存储器 设备
【主权项】:
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