[发明专利]半导体结构的制备方法及半导体结构在审
| 申请号： | 202110212376.9 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113035769A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 储著根 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;C23C16/40;C23C16/52 |
| 代理公司： | 北京律智知识产权代理有限公司 11438 | 代理人： | 孙宝海;袁礼君 |
| 地址： | 230601 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明提出一种半导体结构的制备方法及半导体结构，半导体结构的制备方法包含以下步骤：提供一衬底，衬底表面形成有功能结构层，功能结构层表面具有微粒；在衬底表面形成第一介电层，第一介电层覆盖功能结构层；研磨去除部分第一介电层，直至暴露出微粒，并将微粒去除，使得剩余的第一介电层表面形成第一凹陷；在第一介电层表面形成第二介电层，第二介电层填充第一凹陷。通过上述工艺设计，本发明提出的半导体结构的制备方法能够避免因功能结构层表面的微粒而导致产生凸起不良，提升了半导体结构的可靠性和使用寿命，且具有工艺流程简单、工艺控制难度较低等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制备 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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