[发明专利]一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法

摘要

本发明公开了一种基于Bi掺杂硫锑银的无机薄膜太阳能电池及其制备方法，涉及无机多元化合物薄膜光伏研究领域，所述无机薄膜太阳能电池采用正置结构，从下到上依次为衬底，透明导电阴极ITO，缓冲层，无机光吸收层，金属阳极，所述无机光吸收层为Bi掺杂AgSbS2无机光吸收层薄膜。本发明通过掺入Bi元素(掺杂摩尔量为Bi/(Bi+Sb)＝1～5％)，能够对AgSbS2薄膜的表面缺陷进行填充与钝化，提高了薄膜的质量，提高了电池的短路电流密度、开路电压和填充因子，使电池的转换效率得到提高。