[发明专利]发光二极管外延片的生长方法有效
| 申请号： | 202110213538.0 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113113515B | 公开（公告）日： | 2022-05-13 |
| 发明（设计）人： | 姚振;从颖;董彬忠;李鹏 | 申请（专利权）人： | 华灿光电（苏州）有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06 |
| 代理公司： | 北京三高永信知识产权代理有限责任公司 11138 | 代理人： | 吕耀萍 |
| 地址： | 215600 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本公开提供了一种发光二极管外延片的生长方法，属于半导体技术领域。生长方法包括：提供一衬底；在所述衬底上依次生长N型层、有源层和P型层，所述有源层包括多个周期交替生长的InGaN量子阱层和GaN量子垒层；其中，生长所述有源层的各层InGaN量子阱层时，向反应室内低速通入氨气，并控制所述反应室内通入的氨气的流量先逐渐增加再逐渐减少。该生长方法可以增加InGaN量子阱层中量子点的形成，从而大大降低了电子和空穴发生非辐射复合的概率，进而可以提高LED的内量子发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 发光二极管 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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