[发明专利]人工突触单元及其制备方法在审
申请号: | 202110213589.3 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN112968028A | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 尚大山;李悦;刘琦;徐晗;窦春萌;刘明;刘宇 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L27/06 | 分类号: | H01L27/06 |
代理公司: | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人: | 周天宇 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本公开提供了一种可用于构建人工脉冲神经网络的人工突触单元及其制备方法,该单元包括:晶体管和离子晶体管,所述晶体管的第一源电极或第一漏电级与所述离子晶体管的第二栅电极串联。所提出的人工突触单元简单,能够较好地模拟生物突触功能,如脉冲时间依赖可塑性(STDP)学习规则和长程增强(LTP)、长程减弱(LTD)等突触可塑性。为大规模构建人工脉冲神经网络提供了基础。 | ||
搜索关键词: | 人工 突触 单元 及其 制备 方法 | ||
【主权项】:
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的