[发明专利]光阻底层组成物与制造半导体装置的方法在审
| 申请号： | 202110214183.7 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113311661A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 訾安仁;张庆裕 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | G03F7/004 | 分类号： | G03F7/004;H01L21/027 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 制造半导体装置的方法包含在半导体基板上形成包含光阻底层组成物的光阻底层。选择性地在光化辐射下曝光光阻层，并显影光阻层以形成在光阻层中的图案。光阻底层组成物包含：具有一或多个酸不稳定基团侧基与环氧基侧基的第一聚合物、具有一或多个交联基团的第二聚合物、酸产生剂、淬灭剂或光分解碱与溶剂。光阻底层组成物包含重量百分浓度在0％至10％的淬灭剂或光分解碱，以第一聚合物与第二聚合物的总重量为基准。 | ||
| 搜索关键词： | 底层 组成 制造 半导体 装置 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于台湾积体电路制造股份有限公司，未经台湾积体电路制造股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110214183.7/，转载请声明来源钻瓜专利网。
