[发明专利]刻蚀装置有效
| 申请号： | 202110214350.8 | 申请日： | 2021-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN113097038B | 公开（公告）日： | 2022-07-15 |
| 发明（设计）人： | 刘佳;章诗;张天翼;蒋小波 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01J37/20 | 分类号： | H01J37/20;H01J37/305;H01L21/3065;H01L21/67;H01L21/687 |
| 代理公司： | 北京成创同维知识产权代理有限公司 11449 | 代理人： | 蔡纯;杨思雨 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本申请公开了一种刻蚀装置，包括：晶片承载结构；以及边缘环组件，围绕晶片承载结构的外周边缘且与所述晶片承载结构之间有间距，其中，边缘环组件包括：插入环、支撑环以及滑动环，插入环位于支撑环上，滑动环与插入环固定连接，用于调节插入环与支撑环之间的距离，插入环具有主体部与石英端，石英端靠近晶片承载结构。该刻蚀装置通过在插入环靠近晶片承载结构的一端设置石英端，改善在刻蚀工艺中由边缘环组件产生的颗粒对晶片边缘的影响。 | ||
| 搜索关键词： | 刻蚀 装置 | ||
【主权项】：
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