[发明专利]一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列在审
申请号: | 202110214612.0 | 申请日: | 2021-02-25 |
公开(公告)号: | CN113035961A | 公开(公告)日: | 2021-06-25 |
发明(设计)人: | 王琦男;赵春;赵策洲;刘伊娜;杨莉 | 申请(专利权)人: | 西交利物浦大学 |
主分类号: | H01L29/788 | 分类号: | H01L29/788;H01L29/786;H01L21/336 |
代理公司: | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人: | 孟金喆 |
地址: | 215123 江苏省苏州市*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本发明公开了一种突触型薄膜晶体管及其制备方法、运算阵列,该突触型薄膜晶体管包括:衬底;捕获层,捕获层设置于衬底的一侧;隧穿层,隧穿层设置于捕获层远离衬底的一侧;栅极,栅极设置于衬底远离捕获层的一侧;源极和漏极,源极和漏极设置于隧穿层远离捕获层的一侧;源极和漏极通过隧穿层电连接;捕获层用于在向栅极施加预设电压时,向隧穿层提供载流子。本发明提供的技术方案,可通过控制施加至突触型薄膜晶体管的栅极的电压,实现对突触型薄膜晶体管电导率的精准调节,从而能够实现多级化存储单元,进而极大提高运算阵列的存储容量。 | ||
搜索关键词: | 一种 突触 薄膜晶体管 及其 制备 方法 运算 阵列 | ||
【主权项】:
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