[发明专利]一种GaN单结晶的制造装置有效
| 申请号： | 202110215525.7 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113026107B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 山本晓;张海涛;刘良宏;许彬;庞博 | 申请（专利权）人： | 无锡吴越半导体有限公司 |
| 主分类号： | C30B29/40 | 分类号： | C30B29/40;C30B25/14;C30B25/08 |
| 代理公司： | 北京华际知识产权代理有限公司 11676 | 代理人： | 刘秀颖 |
| 地址： | 214000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明涉及GaN单结晶制备技术领域，且公开了一种GaN单结晶的制造装置，包括石英制反应管、连接法兰和分隔法兰，所述石英制反应管的外侧环形设置有与其相适配的高温电气炉，所述石英制反应管内设置有石英制导入管、石英制导气管、石英制内容器、石英制外容器、石英制Ga槽、石英制螺旋反应管、石英制法兰衔接管、石英制阶梯外框、内喷管和中喷管，石英制内容器的法兰盘夹设在连接法兰的两个法兰盘之间。该GaN单结晶的制造装置，在同一装置中使用HVPE法和MOCVD法对GaN单结晶晶体生长进行控制，能够有效避免晶格常数和热膨胀数造成的应力导致氮化镓晶体长厚时或冷却时开裂，并使生长的氮化镓在降温时与蓝宝石容易剥离，有效地降低产品的制造生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 gan 结晶 制造 装置 | ||
【主权项】：
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