[发明专利]一种基于耗尽管的高压充电管理芯片有效

专利信息
申请号: 202110215586.3 申请日: 2021-02-26
公开(公告)号: CN112865251B 公开(公告)日: 2022-02-01
发明(设计)人: 甘戈 申请(专利权)人: 钰泰半导体股份有限公司
主分类号: H02J7/00 分类号: H02J7/00
代理公司: 重庆市诺兴专利代理事务所(普通合伙) 50239 代理人: 刘兴顺
地址: 226001 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 发明提出一种基于耗尽管的高压充电管理芯片,所述芯片由稳压电路、检测控制电路以及耗尽型高压器件组成。所述稳压电路连接外部电压输入端,对所述外部电压进行转换后,作为所述检测控制电路的输入电压;所述检测控制电路连接电池充电端,用于检测充电电流/电压,并控制充电过程;所述耗尽型高压器件由一个横向扩散的耗尽型N型MOS管和一个二极管组成;所述横向扩散的耗尽型N型MOS的衬底通过所述二极管接地。本发明提出的所述高压充电管理芯片不包含电荷泵,可大大简化芯片系统架构,降低芯片成本,提高芯片可靠性,同时可在遭遇充电端插拔引起的尖峰高电压和适配器(充电器)工作异常输出高压时,避免芯片损坏。
搜索关键词: 一种 基于 尽管 高压 充电 管理 芯片
【主权项】:
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