[发明专利]一种制备双层单晶石墨烯的方法有效
| 申请号： | 202110215730.3 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113089094B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 徐小志;梁智华;曾凡凯;王然;唐志列 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/02 | 分类号： | C30B29/02;C30B25/02;C30B25/08 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备双层单晶石墨烯的方法，该方法包括如下步骤：1)将含碳类化合物和铜箔放置于刚玉盒中，再将所述刚玉盒放置于气相沉积炉中；2)往所述气相沉积炉内通入氩气和氢气，将所述气相沉积炉加热至高温1030‑1045℃；3)保持所述气相沉积炉的温度，增大氢气的通入量，将所述铜箔退火；4)往所述气相沉积炉内通入甲烷，减小氢气的通入量，开始双层单晶石墨烯在所述铜箔上的生长过程；5)双层单晶石墨烯生长完毕后，停止通入甲烷，使所述气相沉积炉在氢气和氩气的氛围下自然冷却到室温。本发明的方法通过简单方便的方式优化双层石墨烯的生长，生长出质量高的双层单晶石墨烯，该方法具有步骤简单、制备条件易于控制的优点。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 双层 晶石 方法 | ||
【主权项】：
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