[发明专利]一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法有效
| 申请号： | 202110216125.8 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113073390B | 公开（公告）日： | 2022-08-30 |
| 发明（设计）人： | 崔国梁;张晓闻;唐志列;王恩科;徐小志 | 申请（专利权）人： | 华南师范大学 |
| 主分类号： | C30B29/46 | 分类号： | C30B29/46;C30B25/02 |
| 代理公司： | 广州骏思知识产权代理有限公司 44425 | 代理人： | 吴静芝 |
| 地址： | 510006 广东省广州市番禺区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种制备大单晶过渡金属硫族化合物的方法，该方法包括如下步骤：将装有三氧化钼粉末的带盖石墨盒、衬底和硫粉放置于气相沉积管式炉中加热进行反应，得到生长在所述衬底上的二硫化钼；其中，所述带盖石墨盒中，顶部的盖子开设有通孔，其余部分密闭；所述衬底置于所述带盖石墨盒外并位于所述通孔的正上方；所述三氧化钼粉末置于所述带盖石墨盒内并位于所述通孔的正下方；所述硫粉位于所述带盖石墨盒外；所述硫粉放置于所述气相沉积管式炉中的上游处，所述带盖石墨盒、三氧化钼粉末和衬底放置于所述气相沉积管式炉中的下游处。本发明所述方法可以制得尺寸大的单晶过渡金属硫族化合物。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 制备 大单晶 过渡 金属 化合物 方法 | ||
【主权项】：
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