[发明专利]一种直接型电磁辐射探测器及制备方法有效
| 申请号： | 202110216562.X | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113035900B | 公开（公告）日： | 2023-02-10 |
| 发明（设计）人： | 宁德;陈明;杨春雷;张琛;王伟;王忠国;侯玉欣;胡明珠;郑雪;李伟民;钟国华 | 申请（专利权）人： | 深圳先进技术研究院 |
| 主分类号： | H10K39/36 | 分类号： | H10K39/36;H10K39/32;G01T1/24 |
| 代理公司： | 深圳市科进知识产权代理事务所(普通合伙) 44316 | 代理人： | 魏毅宏 |
| 地址： | 518055 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明适用于电磁辐射探测器领域，公开了一种直接型电磁辐射探测器及制备方法，直接型电磁辐射探测器包括电极层、封装层、N型半导体层、吸光层、P型半导体层、透明导电层和基底，透明导电层、P型半导体层、吸光层、N型半导体层、封装层和电极层从下至上依次设于基底上，透明导电层沿垂直于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的像素区域，电极层沿平行于电磁辐射的入射方向划分为若干个间隔设置的光电信号采集区域，透明导电层和电极层电性连接，该探测器能够同时利用若干个光电信号采集区域同时对若干个像素区域进行信息采集，从而能够提高探测器的灵敏度，因此，只需要少量的电磁辐射的使用剂量就能够实现高灵敏度探测。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 直接 电磁辐射 探测器 制备 方法 | ||
【主权项】：
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