[发明专利]一种改善耐压可靠性的高压JFET器件结构及其制造方法有效
| 申请号： | 202110216789.4 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN112909083B | 公开（公告）日： | 2023-08-22 |
| 发明（设计）人： | 蔡莹;金锋 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/40 | 分类号： | H01L29/40;H01L29/808;H01L21/337 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 戴广志 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种改善耐压可靠性的高压JFET器件结构及其制造方法，位于有源区内的DNW；位于DNW内边缘一侧的第二N+区；位于DNW表面处以第二N+区为圆心的第一场氧区，位于DNW内的表面处、以第二N+区为圆心且环绕第一场氧区的P阱；位于P阱表面处的第一P+区和第一N+区；位于第一N+区上表面边缘并延伸至第一场氧区上表面的第一多晶硅栅；第一场氧区靠近第二N+区一侧的上表面还设有第二多晶硅栅；第一、第二多晶硅栅为环绕第二N+区的环形结构；第一P+区、第一N+区通过各自上方的通孔连接至第一金属板；第一金属板延伸至第一多晶硅栅位于第一场氧区上表面的上方；第一金属板是以第二N+区为圆心的环形结构；该环形结构在其环形方向形成多个分段的空心槽。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 改善 耐压 可靠性 高压 jfet 器件 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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