[发明专利]氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统有效
| 申请号： | 202110218738.5 | 申请日： | 2021-02-24 |
| 公开（公告）号： | CN112908845B | 公开（公告）日： | 2023-10-10 |
| 发明（设计）人： | 陈广伦;张凌越;姜波 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/311 | 分类号： | H01L21/311;H01L21/67 |
| 代理公司： | 上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237 | 代理人： | 曹廷廷 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种氧化物薄膜初始蚀刻率的优化控制方法及系统，用于改善热磷酸湿法刻蚀氮化硅工艺中氧化物薄膜的蚀刻率稳定性，包括设定好氧化物薄膜的初始刻蚀率；获取当前批次实际进入刻蚀槽生产的硅片的片数、硅片表面的氮化硅薄膜的厚度以及氮化硅薄膜的刻蚀面积比率，并计算氮化硅薄膜的刻蚀总量；设定好刻蚀单位厚度氮化硅薄膜时热磷酸的单位投入量，根据氮化硅薄膜的刻蚀总量及单位投入量计算得到热磷酸的投入总量；当前批次的刻蚀工艺结束后，往刻蚀槽内添加投入总量的热磷酸。通过往刻蚀槽内添加投入总量的热磷酸来稀释刻蚀槽内的溶液，降低硅离子浓度，保证各个批次氧化物薄膜的初始刻蚀率一致，从而保证氧化物薄膜刻蚀的稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化物 薄膜 初始 蚀刻 优化 控制 方法 系统 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
