[发明专利]制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管在审
| 申请号： | 202110218774.1 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113327853A | 公开（公告）日： | 2021-08-31 |
| 发明（设计）人： | E·布雷扎;A·高蒂尔;F·德普拉;P·舍瓦利耶 | 申请（专利权）人： | 意法半导体（克洛尔2）公司 |
| 主分类号： | H01L21/331 | 分类号： | H01L21/331;H01L29/737;H01L29/08 |
| 代理公司： | 北京市金杜律师事务所 11256 | 代理人： | 王茂华 |
| 地址： | 法国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本公开的实施例涉及制造双极晶体管的方法和通过这种方法获得的双极晶体管。一种制造双极晶体管的方法，包括在衬底上形成第一绝缘层、第二绝缘层、第三绝缘层和第四绝缘层的堆叠。在堆叠中形成开口以到达衬底。外延工艺在衬底上形成晶体管的集电极，并且在第三层中选择性地蚀刻环形开口。然后通过集电极上的外延形成基极的本征部分，本征部分通过环形开口与第三层分离。在集电极与基极的本征部分之间的结由第二层包围。在本征部分上形成发射极并且移除第三层。在第二层上选择性沉积半导体层并与本征部分直接接触形成基极的非本征部分。 | ||
| 搜索关键词： | 制造 双极晶体管 方法 通过 这种方法 获得 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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