[发明专利]制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构在审
申请号: | 202110218989.3 | 申请日: | 2021-02-26 |
公开(公告)号: | CN113540218A | 公开(公告)日: | 2021-10-22 |
发明(设计)人: | 沙哈吉·B·摩尔;钱德拉谢卡尔·普拉卡斯·萨万特 | 申请(专利权)人: | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
主分类号: | H01L29/423 | 分类号: | H01L29/423;H01L29/78;H01L21/336 |
代理公司: | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人: | 章社杲;李伟 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | 本申请的实施例提供了制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构。场效应晶体管的栅极结构包括第一栅极介电层、第二栅极介电层以及设置在第一栅极介电层和第二栅极介电层上方的一个或多个导电层。第一栅极介电层通过填充有扩散阻挡层的间隙与第二栅极介电层分隔开。 | ||
搜索关键词: | 制造 半导体器件 方法 场效应 晶体管 栅极 结构 | ||
【主权项】:
暂无信息
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