[发明专利]三维半导体存储器装置在审
| 申请号： | 202110219013.8 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113314539A | 公开（公告）日： | 2021-08-27 |
| 发明（设计）人： | 郑圣勋;李秉一;李俊熙 | 申请（专利权）人： | 三星电子株式会社 |
| 主分类号： | H01L27/11524 | 分类号： | H01L27/11524;H01L27/11556;H01L27/1157;H01L27/11582 |
| 代理公司： | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人： | 赵南;张帆 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体装置，包括：衬底，其包括下水平层和上水平层，并且具有单元阵列区和连接区；电极结构，其包括堆叠在衬底上方并且从单元阵列区延伸至连接区的电极；单元阵列区上的垂直沟道结构，其贯穿电极结构，并且连接至衬底；以及连接区上的分离结构，其贯穿电极结构。下水平层具有：与分离结构的第一部分接触的第一顶表面，与分离结构的第二部分接触的第二顶表面，以及拐点，在该拐点处，下水平层的高度在第一顶表面与第二顶表面之间突然改变。 | ||
| 搜索关键词： | 三维 半导体 存储器 装置 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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