[发明专利]显示装置的制造方法及刻蚀溶液在审
| 申请号： | 202110219066.X | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113539814A | 公开（公告）日： | 2021-10-22 |
| 发明（设计）人： | 柳龙焕;曹雨辰;郑钟铉;金载运;宋先镇;赵显德 | 申请（专利权）人： | 三星显示有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/306 | 分类号： | H01L21/306;C09K13/04;C09K13/06 |
| 代理公司： | 北京铭硕知识产权代理有限公司 11286 | 代理人： | 杨永良;刘灿强 |
| 地址： | 韩国京畿*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 公开了一种在其中在内表面上涂覆有包含钇的材料的室中制造显示装置的方法和刻蚀溶液，该方法包括以下步骤：在基底上通过干刻蚀形成第一层图案；在第一层图案上沉积第二层材料；在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案；通过使用光致抗蚀剂图案作为刻蚀掩模完成第二层图案；以及在干刻蚀以形成第一层图案之后且在第二层材料上形成光致抗蚀剂图案之前，通过使用包括盐酸、硫酸和硝酸中的至少一种的刻蚀溶液来执行附加的酸刻蚀工艺。 | ||
| 搜索关键词： | 显示装置 制造 方法 刻蚀 溶液 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于三星显示有限公司，未经三星显示有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110219066.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：制造半导体器件的方法和场效应晶体管的栅极结构
- 下一篇：光造型装置用光学系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
