[发明专利]包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法

摘要

本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列及用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。所述方法包括形成各自包括竖直堆叠的横向间隔开的存储器块，所述竖直堆叠包括交替的绝缘层和导电层。存储器单元的沟道材料串延伸穿过所述绝缘层和所述导电层。所述导电层沿着所述存储器块的侧面包括金属。硅在所述导电层的所述金属上方在所述存储器块之间形成。所述硅和所述金属进行反应以从其形成直接抵靠且纵向沿着所述导电层中的个别者的所述金属的金属硅化物。在所述反应之后，从所述存储器块之间移除所述硅中的未反应者，并在所述存储器块之间且纵向沿着所述存储器块形成居间材料。公开了其它实施例，包含独立于方法的结构。