[发明专利]光检测器件、光器件及其制造方法在审
| 申请号： | 202110220281.1 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113066808A | 公开（公告）日： | 2021-07-02 |
| 发明（设计）人： | 周淳朴;卓联洲;宋巍巍 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/14 | 分类号： | H01L27/14;H01L27/142;H01L31/09;H01L31/102 |
| 代理公司： | 北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409 | 代理人： | 章社杲;李伟 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种光检测器件及其制造方法。该光检测器件包括绝缘层、硅层、光检测层、N个第一掺杂区和M个第二掺杂区。硅层设置在绝缘层上方。光检测层设置在硅层上方并且在硅层的至少部分内延伸。第一掺杂区具有第一掺杂剂类型并且设置在光检测层内。第二掺杂区具有第二掺杂剂类型并且设置在光检测层内。第一掺杂区和第二掺杂区交替布置。M和N是等于或大于2的整数。本发明还提供了一种光器件。 | ||
| 搜索关键词： | 检测 器件 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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