[发明专利]硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法有效
| 申请号： | 202110220598.5 | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113308249B | 公开（公告）日： | 2022-12-30 |
| 发明（设计）人： | 清家吉贵;东野诚司;置盐真奈美;小林健司;根来世 | 申请（专利权）人： | 株式会社德山;株式会社斯库林集团 |
| 主分类号： | C09K13/00 | 分类号： | C09K13/00;H01L21/306 |
| 代理公司： | 北京品源专利代理有限公司 11332 | 代理人： | 吕琳;朴秀玉 |
| 地址： | 日本山口*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明涉及硅蚀刻液、使用该蚀刻液的硅器件的制造方法以及基板处理方法。提供一种硅蚀刻液，其能抑制硅的晶体取向的影响，能与多晶硅膜中的单晶粒的晶体取向无关地进行同样的蚀刻处理。一种各向同性硅蚀刻液，其特征在于，包含氢氧化季铵、水、以及选自由下述式(1)以及式(2)所示的化合物构成的组中的至少一种化合物，并且满足下述条件1和条件2。R |
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| 搜索关键词： | 蚀刻 使用 器件 制造 方法 以及 处理 | ||
【主权项】：
暂无信息
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