[发明专利]用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法在审
| 申请号： | 202110221578.X | 申请日： | 2021-02-26 |
| 公开（公告）号： | CN113437022A | 公开（公告）日： | 2021-09-24 |
| 发明（设计）人： | G·M·格里弗纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/8234 | 分类号： | H01L21/8234;H01L21/28;H01L29/08;H01L29/417;H01L27/088 |
| 代理公司： | 中国贸促会专利商标事务所有限公司 11038 | 代理人： | 秦晨 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明题为“用于源极向下竖直半导体器件的结构和方法”。本发明公开了一种半导体器件，该半导体器件包括半导体材料区域，该半导体材料区域具有第一侧以及与该第一侧相对的第二侧。有源器件结构与该第一侧相邻，该有源器件结构包括源极区域和栅极电极。第一栅极导体在该第一侧处电连接到该栅极电极，漏极区域在该第二侧处，第二栅极导体在该第二侧处，并且贯穿半导体通孔从该第一侧朝向该侧延伸并且将该第一栅极电极电连接到该第二栅极电极。源极电极在该第一侧处电连接到该源极区域，并且漏极电极在该第二侧处电连接到该漏极区域。该贯穿半导体通孔与该源极区域和该漏极区域电隔离。该结构提供具有源极向下配置的栅极/漏极向上。 | ||
| 搜索关键词： | 用于 向下 竖直 半导体器件 结构 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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