[发明专利]一种氮化物半导体发光元件及其制作方法在审
| 申请号： | 202110222164.9 | 申请日： | 2021-02-28 |
| 公开（公告）号： | CN112909141A | 公开（公告）日： | 2021-06-04 |
| 发明（设计）人： | 蓝永凌;汤恒;李政鸿;林兓兓 | 申请（专利权）人： | 安徽三安光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/14 | 分类号： | H01L33/14;H01L33/32;H01L33/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 241000 安徽*** | 国省代码： | 安徽;34 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体领域，尤其涉及氮化物半导体发光元件及其制作方法，其中氮化物半导体发光元件包括N型半导体层、活性层和P型半导体层，活性层和P型半导体层之间具有空穴注入层以及第一电子阻挡层，第一电子阻挡层的一侧或者两侧可以具有铝组分高于第一电子阻挡层且厚度小于第一电子阻挡层的其他电子阻挡层，用于阻挡电子，提高发光元件的发光效率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 氮化物 半导体 发光 元件 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于安徽三安光电有限公司，未经安徽三安光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110222164.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种保温隔热新型陶瓷材料及其制备方法
- 下一篇：平面偶极子二元寄生阵列天线
