[发明专利]真空腔室及其压力控制方法以及半导体处理设备有效
| 申请号： | 202110222986.7 | 申请日： | 2021-02-27 |
| 公开（公告）号： | CN113035748B | 公开（公告）日： | 2022-03-11 |
| 发明（设计）人： | 万飞华;徐春阳 | 申请（专利权）人： | 楚赟精工科技（上海）有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67;H01L21/02 |
| 代理公司： | 上海恒锐佳知识产权代理事务所(普通合伙) 31286 | 代理人： | 黄海霞 |
| 地址： | 201210 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供了一种真空腔室，包括内腔，设有至少一个内腔进气管和至少一个内腔出气管；外腔，套设于内腔，设有至少一个外腔进气管和至少一个外腔出气管；腔门组件，位于外腔和内腔的至少一端部；第一供气组件，与内腔进气管连接；第二供气组件，与外腔进气管连接；排气组件，包括负压供给系统，连接内腔出气管和外腔出气管；密封组件，设于外腔与内腔之间；压力控制组件，控制第一供气组件、第二供气组件和排气组件，使内腔与外腔的压差保持在一个安全范围内，保护易碎或不耐压的内腔腔体，并且不受石英加工技术限制，实现大尺寸耐腐蚀高温真空腔室的应用。本发明还提供了一种半导体处理设备和一种真空腔室的压力控制方法。 | ||
| 搜索关键词： | 空腔 及其 压力 控制 方法 以及 半导体 处理 设备 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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