[发明专利]一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法有效
| 申请号： | 202110223538.9 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN112964374B | 公开（公告）日： | 2022-04-05 |
| 发明（设计）人： | 李杨;廖传武;李志超;李浩凡;黄芙蓉 | 申请（专利权）人： | 辽宁优迅科技有限公司 |
| 主分类号： | G01J9/00 | 分类号： | G01J9/00;G01K7/22 |
| 代理公司： | 鞍山嘉讯科技专利事务所(普通合伙) 21224 | 代理人： | 张群 |
| 地址： | 114000 辽*** | 国省代码： | 辽宁;21 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供一种光发射器件制造过程中芯片工作温度对比方法，一、采用带控温的加电仪表对光发射器件的不带电驱动芯片进行加电控温，用光纤将芯片发光传到波长计探测波长；二、使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温，使光芯片发光，用光纤将芯片发光先传到分波器再用波长计分别探测各通道波长；三、将上述两种方法得出的光芯片的波长对应出光芯片的实际温度，并进行实际工作温度的对比；四、当使用直流稳压电源配合软件对光发射器件的带电驱动芯片进行加电控温时，对比每多开一个通道光芯片的工作实际温度。旨在探测不同控温设备和同时给器件内不同数量芯片加电芯片工作时的实际温度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 发射 器件 制造 过程 芯片 工作温度 对比 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于辽宁优迅科技有限公司，未经辽宁优迅科技有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/202110223538.9/，转载请声明来源钻瓜专利网。
