[发明专利]一种二维硅碳纳米片负极材料及其制备方法有效
| 申请号： | 202110224082.8 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113104835B | 公开（公告）日： | 2023-05-23 |
| 发明（设计）人： | 庞海波;姚停;郭建坤;徐婷;高海峰 | 申请（专利权）人： | 合肥国轩电池材料有限公司 |
| 主分类号： | H01M4/38 | 分类号： | H01M4/38;H01M4/62;C01B32/15;C01B33/02;H01M10/0525;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 合肥天明专利事务所(普通合伙) 34115 | 代理人： | 张名列 |
| 地址： | 230000 安徽省*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种二维硅碳纳米片负极材料及其制备方法，涉及锂离子电池技术领域。该制备方法通过引入纳米纤维素作为结构单元，引导自身与聚多巴胺通过脱水缩合反应紧密结合形成良好的二维网络结构，同时，硅纳米粒子均匀的嵌入二维网络中，经过碳化处理，一步得到二维硅碳纳米片复合材料。此制备方法合成条件温和，合成步骤简单，有效缩减了制备二维硅碳纳米片复合材料的工艺流程。利用本发明方法制得的二维硅碳纳米片得益于其良好的二维结构及硅纳米颗粒的均匀分布，大大缓解了硅在充放电过程中的体积膨胀效应，有望极大地提高其在锂离子电池的性能表现。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 二维 纳米 负极 材料 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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