[发明专利]半导体结构及半导体结构制作方法有效
| 申请号： | 202110224400.0 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035835B | 公开（公告）日： | 2022-04-01 |
| 发明（设计）人： | 王蒙蒙;黄信斌 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L23/528;H01L23/538;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 朱颖;黄健 |
| 地址： | 230011 安徽省合肥*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明实施例属于半导体制作技术领域，涉及一种半导体结构及半导体结构制作方法。该半导体结构的基底上设置有芯片结构和密封结构，密封结构包括金属墙体和位于金属墙体顶部的阻挡墙体，金属墙体和阻挡墙体均环绕芯片结构设置。在晶圆切割的过程中，阻挡墙体可以阻止切割产生的裂纹在金属墙体背离基底一侧的层间介质层内向芯片结构延伸，进而避免芯片结构失效。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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