[发明专利]适用于低工作电压高效率应用的GaN HEMT器件及制备方法在审
| 申请号： | 202110224740.3 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113113476A | 公开（公告）日： | 2021-07-13 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;宓珉瀚;韩雨彤;周雨威;张濛;侯斌;祝杰杰 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/423;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种适用于低工作电压高效率应用的GaN HEMT器件及制备方法，该方法包括S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：在GaN基异质结上生长n |
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| 搜索关键词： | 适用于 工作 电压 高效率 应用 gan hemt 器件 制备 方法 | ||
【主权项】：
暂无信息
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