[发明专利]双联磁差电机载流畸变相干抑制法

摘要

本发明方案公开一种干涉法抑制磁差电机载流畸变的技术方案，原理是利用双联磁差电机拓扑对偶的电枢产生的相干反向电动势干涉相消。因空间规范化多通磁路，和电枢与磁极的连对双排，磁差电机电磁结构有多种拓扑，不同拓扑结构对磁导空间极化精细响应不同，因而和差磁通电枢感生电动势干涉合成波不同。不同拓扑结构的磁差电机的感应电动势都是共轭相干波，可以选择两个磁极序列一样、电枢缠绕取向完全相反的共轭磁差电机联机，力矩可以同向合成，却产生了干涉相消的反电动势，这样就实现了抑制驱动载流的畸变。这样的双联磁差电机不会向驱动控制电路引入畸变污染，不增加控制难度，步进运行也将更加平稳和精确，拥有更良好的电磁学和力学特性。