[发明专利]基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法有效
| 申请号： | 202110225408.9 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113113478B | 公开（公告）日： | 2022-10-04 |
| 发明（设计）人： | 马晓华;周雨威;宓珉瀚;祝杰杰;韩雨彤;张濛;王鹏飞;侯斌;杨凌 | 申请（专利权）人： | 西安电子科技大学 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L29/205;H01L29/423;H01L29/45;H01L21/335;H01L29/778 |
| 代理公司： | 西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230 | 代理人： | 刘长春 |
| 地址： | 710000 陕*** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： |
本发明涉及一种基于欧姆再生长的GaN基射频功率器件及其制备方法，该方法包括：S1：在衬底上生长GaN基异质结；S2：采用干法刻蚀工艺对GaN基异质结的欧姆区域进行刻蚀，形成欧姆再生长区域以进行欧姆再生长；S3：在器件表面外延生长n |
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| 搜索关键词： | 基于 欧姆 再生 gan 射频 功率 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
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