[发明专利]一种半导体场效应晶体管及其制造方法有效
| 申请号： | 202110225691.5 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113035958B | 公开（公告）日： | 2023-01-20 |
| 发明（设计）人： | 田金朋;张广宇;时东霞;杨蓉 | 申请（专利权）人： | 中国科学院物理研究所 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L29/26;H01L29/10;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京市正见永申律师事务所 11497 | 代理人： | 黄小临;冯玉清 |
| 地址： | 100190 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体场效应晶体管，包括：衬底；第一绝缘层，位于所述衬底上方；半导体层，位于所述第一绝缘层上方；导电接触层，覆盖所述半导体层的一部分；第二绝缘层，位于所述导电接触层上方，所述导电接触层在所述第二绝缘层的第一端露出一部分，所述第二绝缘层的与所述第一端相对的第二端延伸超出所述导电接触层预定长度；第一电极，连接到所述导电接触层的在所述第二绝缘层的第一端露出的部分；以及第二电极，连接到所述半导体层的超出所述第二绝缘层的第二端的部分。本发明还提供一种上述半导体场效应晶体管的制造方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 场效应 晶体管 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
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