[发明专利]提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法在审
| 申请号： | 202110226018.3 | 申请日： | 2021-03-01 |
| 公开（公告）号： | CN113036005A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 徐平;夏玺华 | 申请（专利权）人： | 湘能华磊光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00;H01L33/06;H01L33/12;H01L33/14;C23C16/34;C23C16/455 |
| 代理公司： | 长沙七源专利代理事务所(普通合伙) 43214 | 代理人： | 张勇;唐玲 |
| 地址： | 423038 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种提升内量子效率的LED外延量子阱生长方法，依次包括：处理衬底、生长低温GaN缓冲层、生长非掺杂GaN层、生长掺杂Si的N型GaN层、生长多量子阱层、生长AlGaN电子阻挡层、生长掺杂Mg的P型GaN层，降温冷却，其中生长多量子阱层依次包括进行生长InGaN阱层、生长GaN‑1垒层、生长GaN‑2垒层、周期性中断Al源生长AlGaN垒层、生长GaN‑3垒层、生长GaN‑4垒层的步骤。本发明通过采用新的量子阱层生长方法来提升量子阱的内量子效率，从而提高LED的光电性能。 | ||
| 搜索关键词： | 提升 量子 效率 led 外延 生长 方法 | ||
【主权项】：
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