[发明专利]一种多环境对比式Micro LED外延片瑕疵测量方法有效
| 申请号： | 202110229725.8 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN112885732B | 公开（公告）日： | 2023-09-22 |
| 发明（设计）人： | 朱智能;冯应猛;张忠利 | 申请（专利权）人： | 深圳鹏瑞智能科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/66 | 分类号： | H01L21/66 |
| 代理公司： | 深圳市中科创为专利代理有限公司 44384 | 代理人： | 彭西洋 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市龙岗区*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种多环境对比式Micro LED外延片瑕疵测量方法，其步骤如下：步骤一：输送原材料，通过输送装置对Micro LED外延片固定治具进行输送，步骤二：设置控制变量，通过两组温度调节箱体、湿度调节箱体和气体调节箱体对相同的Micro LED外延片进行对照测量，方便得出不同环境下的测量效果，步骤三：测量变化状态下的瑕疵情况，通过瑕疵检测仪实时观测空气组分变化下Micro LED外延片外界瑕疵的变化情况，步骤四：进行翻面检测，将一面检测完毕后取下Micro LED外延片并翻面固定，保证整体的检测效果。该多环境对比式Micro LED外延片瑕疵测量方法，可以对平时环境和不同环境下的瑕疵变化进行检测，保证整体在使用的过程中也不会产生较大的变化，保证整体良好的成型效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 环境 对比 micro led 外延 瑕疵 测量方法 | ||
【主权项】：
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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