[发明专利]一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法有效
| 申请号： | 202110230544.7 | 申请日： | 2021-03-02 |
| 公开（公告）号： | CN113097072B | 公开（公告）日： | 2022-07-22 |
| 发明（设计）人： | 曹正义;吴云;顾晓文;魏仲夏 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第五十五研究所 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/78;H01L29/16 |
| 代理公司： | 南京经纬专利商标代理有限公司 32200 | 代理人： | 施昊 |
| 地址： | 210016 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种采用介质牺牲层工艺制备石墨烯场效应晶体管的方法，包括步骤如下：(1)石墨烯转移；(2)隔离区工艺；(3)介质牺牲层生长；(4)源/漏电极制备；(5)自对准工艺；(6)栅电极制备；完成石墨烯场效应晶体管制备。本发明采用干法刻蚀形成凹槽，腐金液腐蚀受到介质牺牲层形成的凹槽限制，腐蚀间距小于常规工艺中腐蚀形成的对准间距，降低了寄生电阻；石墨烯场效应晶体管完成后，介质牺牲层对石墨烯场效应晶体管形成保护，相当于完成钝化，有利于在电路流片工艺中应用中。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 采用 介质 牺牲 工艺 制备 石墨 场效应 晶体管 方法 | ||
【主权项】：
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