[发明专利]一种低温制备CsPbI3在审

专利信息
申请号: 202110232411.3 申请日: 2021-03-01
公开(公告)号: CN113035991A 公开(公告)日: 2021-06-25
发明(设计)人: 龚丽;张俊森 申请(专利权)人: 长沙理工大学
主分类号: H01L31/072 分类号: H01L31/072;H01L31/0392;H01L31/0336;H01L31/18;H01L31/0224
代理公司: 北京睿智保诚专利代理事务所(普通合伙) 11732 代理人: 周新楣
地址: 410015 湖*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 发明属于钙钛矿太阳能电池技术领域,本发明公开了一种低温制备CsPbI3柔性钙钛矿太阳能电池的方法。包括以下步骤:在聚合物/透明导电氧化物(polymer/TCO)基底上依次制备ZnO电子传输层、CsPbI3钙钛矿光吸收层和C电极。本发明采用的柔性基底使得太阳能电池器件轻薄、可弯曲,可被应用在各种可穿戴式和可折叠式的电子产品中,利用刮刀涂布法制备的C电极代替了空穴传输层和金属电极,简化了制备工艺,而且极大地节约成本。本发明制备的碳基全无机CsPbI3柔性钙钛矿太阳能电池,最高光电转换效率为10.99%,其稳定性较好,具有良好的应用前景。
搜索关键词: 一种 低温 制备 cspbi base sub
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