[发明专利]一种负电容场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件在审
申请号: | 202110232822.2 | 申请日: | 2021-03-03 |
公开(公告)号: | CN113178491A | 公开(公告)日: | 2021-07-27 |
发明(设计)人: | 殷华湘;张青竹;张兆浩;曹磊;顾杰 | 申请(专利权)人: | 中国科学院微电子研究所 |
主分类号: | H01L29/78 | 分类号: | H01L29/78;H01L29/06;H01L29/423;H01L21/336 |
代理公司: | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人: | 佟林松 |
地址: | 100029 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明涉及一种负电容场效应晶体管及其制备方法、一种半导体器件,负电容场效应晶体管包括:衬底;纳米片堆栈部,其设置在所述衬底上,形成多个导电沟道;纳米片堆栈部包括:纳米片形成的叠层及位于相邻纳米片之间的支撑结构,支撑结构是第一半导体形成的,纳米片是第二半导体形成的;所述纳米片的宽度大于支撑结构的宽度;环绕式栅极,其环绕于纳米堆栈部周围;所述环绕式栅极包括铁电层。负电容场效应晶体管可以显著降低器件的亚阈值摆幅;同时多层堆叠的纳米片结构可以增加负电容场效应晶体管的工作电流和栅控性能;具由支撑结构的纳米片降低了多层栅介质在纳米片间的填充要求,并可以有效减小器件的漏电特性。 | ||
搜索关键词: | 一种 电容 场效应 晶体管 及其 制备 方法 半导体器件 | ||
【主权项】:
暂无信息
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国科学院微电子研究所,未经中国科学院微电子研究所许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/202110232822.2/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类