[发明专利]一种薄膜砷化镓太阳电池上电极及其制备方法有效

专利信息
申请号: 202110233503.3 申请日: 2021-03-03
公开(公告)号: CN112750915B 公开(公告)日: 2022-11-11
发明(设计)人: 姜明序;吴致丞;张璐;高鹏;刘兴江 申请(专利权)人: 中国电子科技集团公司第十八研究所
主分类号: H01L31/0224 分类号: H01L31/0224;H01L31/0693;H01L31/18
代理公司: 天津诺德知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 12213 代理人: 栾志超
地址: 300384 天津市滨海*** 国省代码: 天津;12
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摘要: 一种薄膜砷化镓太阳电池上电极及其制备方法,所述薄膜砷化镓太阳电池上电极包括:底层金属栅极、介质层和顶层金属栅极,其中,所述底层金属栅极、所述介质层和所述顶层金属栅极由内向外依次设置于外延片的外表面上,所述底层金属栅极和所述顶层金属栅极连接。本发明提供的一种薄膜砷化镓太阳电池上电极及其制备方法具有如下优点和积极效果:使用局部绝缘型上电极结构,可以有效避免电池局部受压时造成的短路现象,保证电池输出效率;使用氧化物介质层作为绝缘结构,具有耐高温、结合力好、绝缘性强等特点;采用了光刻技术和真空蒸发技术制备上电极,具有工艺简单、技术成熟等特点。
搜索关键词: 一种 薄膜 砷化镓 太阳电池 电极 及其 制备 方法
【主权项】:
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