[发明专利]高密度三维可编程存储器的制备方法

摘要

高密度三维可编程存储器的制备方法，涉及存储器的制备技术。本发明包括下述步骤：1)形成基础结构体；2)对基础结构体开槽；3)在分割槽的内壁逐层设置预设的存储器结构所需的各存储介质层；4)在分割槽中填充核心介质，形成核心介质层；5)采用掩膜下刻蚀工艺，沿填充有核心介质的分割槽刻蚀深孔，由深孔截断分割槽中的核心介质；6)在深孔中填充绝缘介质。本发明成本低，可以取得最高的存储密度。