[发明专利]一种增强型二维半导体光电探测器及其制备方法

摘要

本发明涉及到一种增强型二维半导体光电探测器及其制备方法，本发明包括由下至上的绝缘衬底1、金属电极2、二维半导体薄膜3和贵金属纳米颗粒4。在绝缘衬底上光刻制备电极，化学气相沉积(CVD)方法制备二维半导体材料，物理蒸镀的贵金属薄膜经过高温退火形成贵金属纳米颗粒。将制备的二维半导体薄膜和贵金属纳米颗粒依次转移到制备的电极上，构建复合结构的光电探测器。本发明所涉及的光电探测器制备方法简单，其具有低的暗电流和高的开关比。