[发明专利]一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法在审
| 申请号： | 202110234163.6 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113036040A | 公开（公告）日： | 2021-06-25 |
| 发明（设计）人： | 马兰超;俄乐哈尔·黑牙提别克;陈兴国;陈兵;李振刚;郭烈文 | 申请（专利权）人： | 北京石油化工学院 |
| 主分类号： | H01L51/40 | 分类号： | H01L51/40;H01L51/30;H01L51/05 |
| 代理公司： | 北京众合诚成知识产权代理有限公司 11246 | 代理人： | 张文宝 |
| 地址： | 102617 北*** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： |
本发明公开了属于近红外光传感技术领域的一种具备近红外光传感特性的场效应晶体管制备方法。该近红外光传感有机场效应晶体管的制备过程依照从下到上的顺序，即基底、栅电极、介电层、源漏电极和半导体层连接。本晶体管是底栅底接触构型，源漏电极和半导体层位于同一水平面，由共轭聚合物和有机小分子共混溶液制备的薄膜作为半导体层，具有垂直分相的异质结构，其两端分别与源漏电极连接；介电层由耐溶剂性好的非金属氧化物或者交联聚合物制作。修饰层为单分子层；本发明制备工艺简单，成本低，本近红外光传感有机场效应晶体管饺页对低能量(10‑80μWcm |
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| 搜索关键词： | 一种 具备 红外光 传感 特性 场效应 晶体管 制备 方法 | ||
【主权项】：
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