[发明专利]类苯并噻吩并[3,2-b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用有效
| 申请号： | 202110234170.6 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113024579B | 公开（公告）日： | 2022-10-14 |
| 发明（设计）人： | 孟鸿;王江峰;贺耀武 | 申请（专利权）人： | 北京大学深圳研究生院 |
| 主分类号： | C07D495/04 | 分类号： | C07D495/04;H01L51/54;H01L51/50 |
| 代理公司： | 深圳市君胜知识产权代理事务所(普通合伙) 44268 | 代理人： | 刘芙蓉 |
| 地址： | 518055 广东省深圳市*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明公开类苯并噻吩并[3,2‑b]苯并噻吩的空穴传输材料及其制备方法和应用。本发明设计并合成了两种结构相似的基于苯并五元环并[3,2‑b]苯并五元环(BXBY)的空穴传输材料和基于苯并[b]苯并[4,5]五元环并[2,3‑f]苯并五元环(BXBYB)的空穴传输材料，并将其应用于有机发光二极管中作为空穴传输层材料。本发明上述两种结构的空穴传输材料均具有优异的性能，且性能稳定，能大大提高有机发光二极管的性能和寿命。用该结构的空穴传输材料制作的结构的有机发光二极管，表现出远优于市场上有机发光二极管的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 噻吩 空穴 传输 材料 及其 制备 方法 应用 | ||
【主权项】：
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