[发明专利]全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器

摘要

本发明提供一种全硅掺杂多结电场增强型锗光波导探测器，涉及硅基光电子器件技术领域。本发明中沿第一方向依次堆叠的金属电极、硅氧化上包层、波导层和硅氧化下包层；所述波导层包括锗吸收层和薄硅层，所述锗吸收层位于所述薄硅层和硅氧化上包层之间；所述锗吸收层下方的薄硅层设有多结型掺杂区结构；所述硅氧化上包层包括通孔结构，所述通孔结构连接所述金属电极和所述薄硅层。实现在不增加工艺难度的情况下，同时抑制暗电流、提高探测器响应度、并大范围的提高探测器带宽，即极大地提高了探测器的综合性能。