[发明专利]一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片有效
| 申请号： | 202110235396.8 | 申请日： | 2021-03-03 |
| 公开（公告）号： | CN113035863B | 公开（公告）日： | 2022-06-03 |
| 发明（设计）人： | 盛况;刘立;王珏;于浩 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | H01L27/02 | 分类号： | H01L27/02;H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861;H01L29/10 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 张羽振 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种引入纵向沟道结构的功率集成芯片，包括：P型衬底区、纵向耐压区、隔离区、MOSFET和二极管区域；所述二极管区域包括二极管、N‑横向漂移区和纵向沟道区；P型衬底区位于芯片底部，P型衬底区上方设置纵向耐压区，纵向耐压区上方一边设置MOSFET，纵向耐压区上方另一边设置二极管区域。本发明的有益效果是：通过加入纵向沟道区并适当调节其沟道长度，来增加纵向耗尽层在N型层的极限深度；当漏极/阳极对源极/参考地形成高压降时，避免了因耗尽层边界扩展到二极管阳极而出现的纵向穿通问题。纵向沟道区提升了功率集成芯片的纵向耐压能力和整体耐压水平，拓宽了芯片的应用范围。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 引入 纵向 沟道 结构 功率 集成 芯片 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
