[发明专利]一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法

摘要

本发明提供一种NIP异质结太阳能电池及其制造方法。NIP异质结太阳能电池包括：由上至下依次为：透明前电极、电子传输层、N型钙钛矿层、I型铜铟镓硒层、P型铜铟镓硒层、钼电极层和电池衬底。制造方法包括：采用直流磁控溅射方法在电池衬底上制备钼电极层；采用三步共蒸发法在钼电极层上依次沉积P型铜铟镓硒层和I型铜铟镓硒层；利用旋涂的方式将混合溶剂旋涂在所述铜铟镓硒层后，加热获得钙钛矿层；采用直流磁控溅射方法在N型钙钛矿层上制备厚度为70纳米的氧化锌层；采用直流磁控溅射方法在电子传输层上制备厚度为500纳米的AZO层。本发明能够提升电子的收集效率，进而提升太阳能电池的光电转换效率。