[发明专利]半导体处理装置及排气方法在审
| 申请号： | 202110237609.0 | 申请日： | 2021-03-04 |
| 公开（公告）号： | CN112992741A | 公开（公告）日： | 2021-06-18 |
| 发明（设计）人： | 祝君龙;任德营;李君;郑晓芬 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L21/67 | 分类号： | H01L21/67 |
| 代理公司： | 深圳紫藤知识产权代理有限公司 44570 | 代理人： | 吕姝娟 |
| 地址： | 430205 湖北省武汉*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体处理装置，其包括腔体、废气排出装置和控制器；所述腔体形成有用以进行多个工艺处理步骤的腔室，以及与所述腔室连通的排气口；所述废气排出装置设置在所述腔体上，配置成向所述腔室提供气流；所述控制器设置在所述腔体上，配置成因应所述多个工艺处理步骤控制所述废气排出装置的废气排出速率，使得每个步骤中的排气量对应于各对应步骤的排气目标值。本揭示还公开一种应用于所述半导体处理装置的排气方法。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 处理 装置 排气 方法 | ||
【主权项】：
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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